ENTEGRIS化學(xué)品輸送系統ProE-Vap 100

ProE-Vap 傳輸系統專(zhuān)為原子層沉積 (ALD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD) 工藝中使用的固體前驅體而設計。它能為當前和未來(lái)技術(shù)節點(diǎn)中使用的各種固體材料提供穩定的質(zhì)量流量。固體前驅體由于蒸汽壓力低、熱穩定性有限，很難穩定地輸送到沉積室中。ProE-Vap 系統克服了這些問(wèn)題，提供了業(yè)內適配解決方案。與其他蒸發(fā)器相比，ProE-Vap 傳輸系統能以更低的溫度更穩定地傳輸固體前驅體，從而降低 ALD 和 CVD 的擁有成本。它能很大限度地減少化學(xué)濃度漂移，從而提高晶圓產(chǎn)量，減少工具停機時(shí)間。自 2008 年以來(lái)，ProE-Vap 已在大批量生產(chǎn)環(huán)境中證明了其高可靠性和強大的性能。它支持輸送制造高度復雜的微電子器件所需的各種無(wú)機和過(guò)渡金屬前驅體。提供多種配置，可安裝在不同的 OEM 工具套件上

用于固體前驅體輸送的創(chuàng )新設計安瓿

在較低溫度下提供更高的質(zhì)量流量

支持氣動(dòng)和手動(dòng)閥門(mén)選項

整體性能高，在蒸發(fā)器使用壽命內流量始終如一

經(jīng)證明可用于半導體應用中的多種固體前驅體，并可用于 LED 等其他新興技術(shù)

可有效使用前驅體，大限度地減少過(guò)熱導致的分解

與多個(gè) OEM 工具兼容；支持開(kāi)發(fā)型大批量晶片處理

降低擁有成本

材料汽化表面積增加 6 倍

托盤(pán)可改善材料的熱傳導，從而提高熱均勻性

載氣流穿過(guò)固體表面，以提高汽化材料的拾取率

產(chǎn)地：美國

Max溫度：200 至 250°C (392 至 482 °F)，視配置而定

Max壓力：工作溫度下 100 psig

外形尺寸（高×寬）：258.27 × 139.7 mm（10.17 × 5.5 英寸）

氣體入口位置：中軸

接頭類(lèi)型：1⁄4 " 內螺紋 VCR

高度：257 mm（10.12 英寸）

氣體出口位置：偏離中軸1.5"

接頭類(lèi)型：1⁄4 " 外螺紋 VCR

高度：258.27 mm（10.17 英寸）

材質(zhì)：316L SS

表面處理：≤ 10 Ra

載氣：UHP He（氦氣）、UHP N₂（氮氣）、UHP Ar（氬氣）

頂氣：5 psi He

原子層沉積、高κ電容器和門(mén)控電容器、金屬壁壘和電極、無(wú)氟鎢 (FFW)