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AHV85110針對驅動(dòng)多種應用和拓撲中的GaNFET進(jìn)行了優(yōu)化。一個(gè)隔離式輸出偏置電源集成在驅動(dòng)器器件中,無(wú)需任何外部驅動(dòng)輔助偏置電源或自舉。這大大簡(jiǎn)化了系統設計,并通過(guò)降低總共模(CM)電容來(lái)降低EMI。它還允許在開(kāi)關(guān)電源拓撲中的任何位置驅動(dòng)浮動(dòng)開(kāi)關(guān)。該驅動(dòng)器具有快速傳播延遲和高峰值拉電流/灌電流能力,可在高頻設計中驅動(dòng)GaNFET。高 CMTI 與用于偏置功率和驅動(dòng)的隔離輸出相結合,使其成為需要隔離、電平轉換或接地隔離以實(shí)現抗噪性的應用的理想選擇。
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