CENTRALSEMI二極管CPD48V-CBAT54-WN

CBAT54 系列硅肖特基二極管以其獨特的性能特點(diǎn)，成為電子工程師們在設計小型化、集成度高電子設備時(shí)的理想選擇。它們的小巧尺寸、優(yōu)良的電性能和可靠的質(zhì)量，使得它們能夠廣泛應用于各種電子設備中，為電路的穩定性和性能提供有力保障。

• 裸片意味著(zhù)二極管的核心部分未經(jīng)封裝，芯片尺寸小且緊湊，為后續的封裝提供了便利。
• CBAT54 系列二極管的尺寸為 13.777 X 13.777 密耳（約等于 0.35mm X 0.35mm），這是一個(gè)非常小的尺寸，使得該系列二極管非常適合用于空間受限的電子設備中。
• 該系列二極管為肖特基二極管，具有開(kāi)關(guān)速度快、正向壓降低的特點(diǎn)。其額定電流小于 1A，但具體型號可能有所不同，如 0.2A 等。
• 特定型號的 CBAT54 系列二極管具有 0.2A 的額定正向電流和 30V 的反向擊穿電壓。這些參數確保了二極管在正常工作條件下的穩定性和可靠性。
• 采用 SOT-23 表面貼裝封裝，使得二極管能夠方便地安裝在電路板上，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)減小了電路板的占用空間。
• 硅肖特基二極管使用硅材料制成，硅是一種廣泛應用的半導體材料，具有優(yōu)良的電性能和穩定性。
• 由于其優(yōu)良的電性能、小巧的尺寸和可靠的質(zhì)量，CBAT54 系列硅肖特基二極管在小型化、集成度高的電子設備中具有廣泛的應用前景。

產(chǎn)地：美國

連續反向電壓：30 V

連續正向電流：200 mA

峰值重復正向電流：300 mA

正向浪涌電流，tp=10 ms：600 mA

功率耗散：350 mW

工作溫度：-65 至 +150 °C

存儲接面溫度：-65 至 +150 °C

熱阻：357 °C/W

包裝：晶圓@128,840（估計值，芯片數量將根據探測情況而變化）

貼裝：表面貼裝